全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機理及其可靠性建模與測評等，既有理論原理、仿真分析、又有實驗測試等。全書內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設計優(yōu)化和測試奠定理論基礎；同時也為實現(xiàn)柔直裝備安全運行的狀態(tài)評估和主動運維提供技術支撐，從而進一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ

半導體光電子學是研究半導體光子和光電子器件的學科，涉及各種半導體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術，在能源、顯示、傳感和通信等領域都擁有廣泛的應用。《BR》本書主要包括半導體材料基本性質(zhì)、半導體光電子器件基本結(jié)構、載流子注入與速率方程、半導體激光器基本理論、光信號調(diào)制、半導體光電探測器、太陽能光熱與光伏、半導體光

本書適合作為集成電路、微電子、電子科學與技術等專業(yè)高年級本科生和研究生學習半導體器件物理的雙語教學教材，內(nèi)容涵蓋了量子力學、固體物理、半導體物理和半導體器件的全部內(nèi)容。全書在介紹學習器件物理所必需的基礎理論之后，重點討論了pn結(jié)、金屬–半導體接觸、MOS場效應晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結(jié)型場效

本書從材料、工藝、結(jié)構、性能、歷史、產(chǎn)業(yè)和前沿研究角度，對半導體太陽能電池和發(fā)光二極管進行系統(tǒng)性的介紹。主要包括半導體與新能源，太陽能電池概述，晶體硅太陽能電池，薄膜硅太陽能電池，碲化鎘太陽能電池，砷化鎵太陽能電池，銅銦硒太陽能電池，染料敏化太陽能電池，有機太陽能電池，發(fā)光二極管概述，氮化鎵發(fā)光二極管，氧化鋅發(fā)光二極管

本書以集成電路領域中的等離子體刻蝕為切入點，介紹了等離子體基礎知識、基于等離子體的刻蝕技術、等離子體刻蝕設備及其在集成電路中的應用。全書共8章，內(nèi)容包括集成電路簡介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機、等離子體測試和表征、等離子體仿真、顆�？刂坪土慨a(chǎn)。本

本書介紹本書介紹納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征、制備及應用研究，大致分以下幾章進行。第一章：緒論，主要講述純納米氧化鋅結(jié)構、制備、性及應用；第二章：表征，主要講述目前納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征方法及手段；第三章：不同形貌純ZnO納米材料的制備及應用研究，對不同形貌ZnO納米材料的各種性質(zhì)進行對比；第四章：功

隨著信息技術的飛速發(fā)展，半導體材料的應用逐漸從集成電路拓展到微波、功率和光電等應用領域。傳統(tǒng)元素半導體硅材料不再能滿足這些多元化需求，化合物半導體應運而生并快速發(fā)展。本書以浙江大學材料科學工程學系“寬禁帶化合物半導體材料與器件”課程講義為基礎，參照全國各高等院校半導體材料與器件相關教材，結(jié)合課題組多年的研究成果編寫而成

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本書采用通俗易懂的語言、圖文并茂的形式，詳細講解了智能制造SMT設備操作與維護的相關知識，覆蓋了SMT生產(chǎn)線常用的設備，主要包括上板機、印刷機、SPI設備、雙軌平移機、貼片機、AOI設備、緩存機、回流焊、X-ray激光檢測儀、AGV機器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對SMT生產(chǎn)線的運行管理做了介紹。本書內(nèi)容豐富實用，講解