本書共六章,內(nèi)容包括:緒論、硅膠基間接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點的構筑及其在黃光發(fā)光二級管中的應用、聚乙烯醇基間接固態(tài)發(fā)光氮硫共摻雜碳點的構筑及其在暖白光發(fā)光二級管中的應用、直接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點的構筑及其在多色發(fā)光二級管中的應用、氮硫共摻雜碳點的構筑及其在倒置太陽能電池中的應用、結論與展望。

本書以作者近年來的研究成果為基礎，結合國際研究進展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現(xiàn)方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結構，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

隨著太赫茲技術的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的

本書以第三代半導體與二維材料相結合的產(chǎn)業(yè)化應用為目標，詳細介紹了二維材料上準范德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應用，內(nèi)容集學術性與實用性于一體。全書共8章，內(nèi)容包括二維材料及準范德華外延原理及應用、二維材料/氮化物準范德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準范德華

氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導率、高擊穿場強等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎，參考國內(nèi)外的最新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術工藝、最新進展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質、缺陷及其生長的物理基礎，物理氣相傳輸

本書聚焦電致變色，系統(tǒng)地總結了有機電致變色研究領域的最新研究成果。全書內(nèi)容涵蓋有機電致變色的發(fā)展歷程、器件結構與原理、器件性能與測試、材料類型、多功能器件及電致變色器件的應用與展望等，對于全面了解電致變色材料領域的最新研究進展具有重要作用。本書具有以下幾個特點：1）介紹了不同的電致變色材料與器件研究方面的發(fā)展情況和最新

量子點發(fā)光二極管（QLED）是顯示領域的一種新型材料，因其具有發(fā)光效率高、可溶解加工、色域廣、制造成本低、響應速度快等優(yōu)勢，備受科研人員關注，有望在商業(yè)上獲得廣泛應用。本書旨在向讀者介紹近年來國內(nèi)外膠體量子點發(fā)光材料與器件的進展，全面總結膠體量子點發(fā)光二極管器件中各功能層關鍵材料和器件的設計及優(yōu)化方案，探討材料性能、器

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術環(huán)節(jié)。全書共分為10章，包括俯瞰功率半導體工藝全貌、功率半導體的基礎知識及運作、各種功率半導體的作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅晶圓、硅功率半導體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導體制造過程的特征、功率半導體開辟綠色