本書把典型電力電子裝置的數(shù)量關(guān)系與仿真模型的構(gòu)建方法整合起來，涵蓋了整流裝置、逆變裝置和直流斬波裝置的建模分析與示例設(shè)計(jì)。并以一個(gè)剛剛從事研發(fā)的工程師視角出發(fā)，進(jìn)行原理分析、參數(shù)計(jì)算、建模設(shè)計(jì)，在素材遴選、內(nèi)容編排方面，避免晦澀，凸顯易懂。本書將涉及的Simulink基礎(chǔ)知識(shí)、常規(guī)建模方法與基本流程知識(shí)，融入到典型電力

功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子等領(lǐng)域，目前也逐漸應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。本書著重闡述功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、仿真技術(shù)、封裝材料應(yīng)用，以及可靠性試驗(yàn)與失效分析等方面的內(nèi)容。本書共10章，主要內(nèi)容包括功率半導(dǎo)體封裝概述、功率半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)、功率半導(dǎo)體

本書共分10章，系統(tǒng)闡述了各種真空鍍膜技術(shù)的基本概念、工作原理和應(yīng)用，真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)計(jì)算，蒸發(fā)源，磁控靶的設(shè)計(jì)計(jì)算，薄膜厚度的測(cè)量技術(shù)，薄膜與表面分析檢測(cè)技術(shù)；書中還介紹了近年來出現(xiàn)的新型薄膜材料石墨烯的制備方法和應(yīng)用等方面的內(nèi)容。本書理論與實(shí)際應(yīng)用結(jié)合，可作為真空技術(shù)與工程、薄膜與表面應(yīng)用、材料工程、應(yīng)用物理

本書以電子制造SMT設(shè)備為主體，從設(shè)備品牌、工作原理、結(jié)構(gòu)組成、操作過程、故障診斷、技術(shù)參數(shù)、設(shè)備選型、評(píng)估與驗(yàn)收及設(shè)備維修與保養(yǎng)等角度，分別介紹SMT主體設(shè)備（涂敷設(shè)備、貼裝設(shè)備、焊接設(shè)備等）和SMT輔助設(shè)備（檢測(cè)設(shè)備、返修設(shè)備、SMT生產(chǎn)線輔助設(shè)備、靜電防護(hù)設(shè)備等），并選取不同設(shè)備的共性部件作為機(jī)電設(shè)備通用部件進(jìn)行

《芯片用硅晶片的加工技術(shù)》由淺入深地介紹了半導(dǎo)體硅及集成電路的有關(guān)知識(shí)，并著重對(duì)滿足納米集成電路用優(yōu)質(zhì)大直徑300mm硅單晶拋光片和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)用晶體硅太陽電池晶片的制備工藝、技術(shù)，以及對(duì)生產(chǎn)工藝廠房的設(shè)計(jì)要求進(jìn)行了全面系統(tǒng)的論述。書中附有大量插圖、表格等技術(shù)資料，可供致力于半導(dǎo)體硅材料工作的科技人員、企業(yè)管理人員和

本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測(cè)試方法及應(yīng)用技術(shù)，概括了近年學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiCMOSFET參數(shù)的解讀、測(cè)試及應(yīng)用，雙脈沖測(cè)試技術(shù)，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，高di/dt的影響與應(yīng)對(duì)——關(guān)斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應(yīng)對(duì)——crosstalk，高d

書是國家職業(yè)教育專業(yè)教學(xué)資源庫配套教材之一，也是十二五職業(yè)教育國家規(guī)劃教材修訂版。本書根據(jù)現(xiàn)代電子制造業(yè)對(duì)表面貼裝崗位技術(shù)人才的需要，系統(tǒng)介紹了表面貼裝技術(shù)（SMT）工藝設(shè)備的操作與維護(hù)技術(shù)。全書在編寫過程中，融入了企業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用案例、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及企業(yè)規(guī)范，內(nèi)容按照表面貼裝設(shè)備崗位技術(shù)人員的典型工作任務(wù)和表面貼裝工藝流程環(huán)

本書詳細(xì)介紹了現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝過程中,從PCB到PCBA及最終產(chǎn)品各個(gè)工序常見的技術(shù)要求及對(duì)異常問題的處理方法,包括工焊接、壓接、電批使用的每一個(gè)主要過程,如PCB清潔、印錫、點(diǎn)膠、貼片、回流、AOI檢測(cè)、三防涂覆、返修技術(shù)、各類設(shè)備的維護(hù)保養(yǎng)等。同時(shí)還介紹了各個(gè)環(huán)節(jié)對(duì)從業(yè)者的基本要求,貫穿整個(gè)單板加工的工藝流程。所涉

由于石墨烯材料具有眾多的優(yōu)異特性，使其在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，本書詳細(xì)介紹了石墨烯材料在半導(dǎo)體中的應(yīng)用。全書共8章，包含三大部分內(nèi)容，分別為石墨烯材料簡述（第1~3章）、石墨烯在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用（第4~6章）和石墨烯在半導(dǎo)體封裝散熱中的應(yīng)用（第7~8章）。石墨烯材料簡述部分介紹了石墨烯材料及其發(fā)展和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低