本書以電子制造SMT設(shè)備為主體，從設(shè)備品牌、工作原理、結(jié)構(gòu)組成、操作過程、故障診斷、技術(shù)參數(shù)、設(shè)備選型、評估與驗收及設(shè)備維修與保養(yǎng)等角度，分別介紹SMT主體設(shè)備（涂敷設(shè)備、貼裝設(shè)備、焊接設(shè)備等）和SMT輔助設(shè)備（檢測設(shè)備、返修設(shè)備、SMT生產(chǎn)線輔助設(shè)備、靜電防護設(shè)備等），并選取不同設(shè)備的共性部件作為機電設(shè)備通用部件進行

《芯片用硅晶片的加工技術(shù)》由淺入深地介紹了半導體硅及集成電路的有關(guān)知識，并著重對滿足納米集成電路用優(yōu)質(zhì)大直徑300mm硅單晶拋光片和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)用晶體硅太陽電池晶片的制備工藝、技術(shù)，以及對生產(chǎn)工藝廠房的設(shè)計要求進行了全面系統(tǒng)的論述。書中附有大量插圖、表格等技術(shù)資料，可供致力于半導體硅材料工作的科技人員、企業(yè)管理人員和

本書從LED芯片制作、LED封裝和LED應(yīng)用等方面介紹了LED的基本概念與相關(guān)技術(shù)，詳細講解了LED封裝過程中和開發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品時應(yīng)該注意的一些技術(shù)問題，并以引腳式LED封裝為基礎(chǔ)，進一步介紹了平面發(fā)光式、SMD、大功率LED的三種不同封裝形式及其相應(yīng)的產(chǎn)品在實際生產(chǎn)中的操作技術(shù)。本書還討論了LED在不同領(lǐng)域的應(yīng)用技術(shù)，最

本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應(yīng)用技術(shù)，概括了近年學術(shù)界和工業(yè)界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導體器件基礎(chǔ)，SiCMOSFET參數(shù)的解讀、測試及應(yīng)用，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應(yīng)對——關(guān)斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應(yīng)對——crosstalk，高d

書是國家職業(yè)教育專業(yè)教學資源庫配套教材之一，也是十二五職業(yè)教育國家規(guī)劃教材修訂版。本書根據(jù)現(xiàn)代電子制造業(yè)對表面貼裝崗位技術(shù)人才的需要，系統(tǒng)介紹了表面貼裝技術(shù)（SMT）工藝設(shè)備的操作與維護技術(shù)。全書在編寫過程中，融入了企業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用案例、行業(yè)標準及企業(yè)規(guī)范，內(nèi)容按照表面貼裝設(shè)備崗位技術(shù)人員的典型工作任務(wù)和表面貼裝工藝流程環(huán)

本書詳細介紹了現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝過程中,從PCB到PCBA及最終產(chǎn)品各個工序常見的技術(shù)要求及對異常問題的處理方法,包括工焊接、壓接、電批使用的每一個主要過程,如PCB清潔、印錫、點膠、貼片、回流、AOI檢測、三防涂覆、返修技術(shù)、各類設(shè)備的維護保養(yǎng)等。同時還介紹了各個環(huán)節(jié)對從業(yè)者的基本要求,貫穿整個單板加工的工藝流程。所涉

本書主要圍繞標準編制工作展開，涉及項目組研究過程中思考與推進工作的方法，吸收和借鑒了一些國內(nèi)外相關(guān)標準，還有他們?nèi)绾谓柚鷮嶒炄∽C的方法，圍繞有爭議的技術(shù)指標進行專項研究，如何采取求真務(wù)實的方式檢驗標準，開展實地調(diào)研工作，以及項目組專家們和企業(yè)都提供了哪些前沿信息等內(nèi)容。全書共分六個章節(jié)，第一章是項目的整個研究總報告，主

由于石墨烯材料具有眾多的優(yōu)異特性，使其在半導體領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，本書詳細介紹了石墨烯材料在半導體中的應(yīng)用。全書共8章，包含三大部分內(nèi)容，分別為石墨烯材料簡述（第1~3章）、石墨烯在半導體器件中的應(yīng)用（第4~6章）和石墨烯在半導體封裝散熱中的應(yīng)用（第7~8章）。石墨烯材料簡述部分介紹了石墨烯材料及其發(fā)展和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機理及其相關(guān)理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低

本書全面系統(tǒng)地介紹了半導體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)，全書共分十一章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術(shù)，第十