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當(dāng)前分類數(shù)量:224  點擊返回 當(dāng)前位置:首頁 > 中圖法 【TN30 一般性問題】 分類索引
  • 裝配式建筑施工技術(shù)
    • 裝配式建筑施工技術(shù)
    • 羅瓊/2023-8-25/ 重慶大學(xué)出版社/定價:¥49
    • 本書比較全面地介紹了當(dāng)前表面組裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)線及主要設(shè)備、建線工程、設(shè)備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎(chǔ)知識和表面組裝印制電路板可制造性設(shè)計(DFM)等內(nèi)容。全書分為6章,分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準(zhǔn)備、第3章SMT涂敷工藝技術(shù)、第4章MT貼裝工藝技術(shù)、第5章MT檢測工藝技術(shù)、第6章MT清洗工藝技術(shù)

    • ISBN:9787568940580
  • 高k柵介質(zhì)材料與器件集成
    • 高k柵介質(zhì)材料與器件集成
    • 何剛/2023-8-1/ 清華大學(xué)出版社/定價:¥79
    • 本書旨在向材料及微電子集成相關(guān)專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專業(yè)技術(shù)。本書共10章,包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn),柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備,柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法;著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用,如高κ與

    • ISBN:9787302639145
  • 半導(dǎo)體先進光刻理論與技術(shù)
    • 半導(dǎo)體先進光刻理論與技術(shù)
    • (德)安德里亞斯·愛德曼(Andreas Erdmann)著/2023-8-1/ 化學(xué)工業(yè)出版社/定價:¥198
    • 本書介紹了當(dāng)前主流的光學(xué)光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術(shù)。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設(shè)備、關(guān)鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學(xué)效應(yīng)等,包括光刻技術(shù)的前沿進展,還總結(jié)了極紫外光刻的特點、存在問題與發(fā)展方向。

    • ISBN:9787122432766
  • 半導(dǎo)體材料及器件輻射缺陷與表征方法
    • 半導(dǎo)體材料及器件輻射缺陷與表征方法
    • 李興冀等編著/2023-7-1/ 哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社/定價:¥128
    • 全書共分為4章,系統(tǒng)闡述了輻射誘導(dǎo)半導(dǎo)體缺陷的相關(guān)理論、數(shù)值模擬方法、表征技術(shù)及應(yīng)用?臻g輻射誘導(dǎo)缺陷是導(dǎo)致電子元器件性能退化的重要原因,然而輻射誘導(dǎo)缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導(dǎo)體材料本身物理屬性、器件類型及結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。

    • ISBN:9787576705447
  • 氮化物半導(dǎo)體技術(shù)——功率電子和光電子器件
    • 氮化物半導(dǎo)體技術(shù)——功率電子和光電子器件
    • [意]法布里齊奧·羅卡福特[波蘭]邁克·萊辛斯基/2023-7-1/ 機械工業(yè)出版社/定價:¥189
    • 本書概述了氮化物半導(dǎo)體及其在功率電子和光電子器件中的應(yīng)用,解釋了這些材料的物理特性及其生長方法,詳細(xì)討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應(yīng)用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題,并提出了將它們與2D材料結(jié)合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導(dǎo)性和

    • ISBN:9787111728733
  • 功率超結(jié)器件
    • 功率超結(jié)器件
    • 章文通張波李肇基/2023-7-1/ 人民郵電出版社/定價:¥149
    • 超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一,它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層,突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系(Ron,spVB^2.5),將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方,甚至是1.03次方關(guān)系,被譽為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息,重點介紹了作者在功率超結(jié)器件研

    • ISBN:9787115589347
  • 納米多孔GaN基薄膜的制備及其特性研究
    • 納米多孔GaN基薄膜的制備及其特性研究
    • 曹得重/2023-7-1/ 科學(xué)出版社/定價:¥98
    • 本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象,系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究,為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實驗基礎(chǔ)。

    • ISBN:9787030758668
  • 功率半導(dǎo)體器件
    • 功率半導(dǎo)體器件
    • 關(guān)艷霞劉斌吳美樂盧雪梅/2023-6-1/ 機械工業(yè)出版社/定價:¥79
    • 本書內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導(dǎo)體器件的分類及發(fā)展歷程,主要包括功率半導(dǎo)體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管,在傳統(tǒng)的功率二極管(肖特基二極管和PiN二極管)的基礎(chǔ)上,增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開關(guān)器件,主要分為傳統(tǒng)開關(guān)

    • ISBN:9787111727743
  • 硅通孔垂直互連技術(shù)
    • 硅通孔垂直互連技術(shù)
    • 陳志銘,丁英濤,肖磊著/2023-5-1/ 北京理工大學(xué)出版社/定價:¥40
    • 硅通孔垂直互連技術(shù)是實現(xiàn)三維集成電路與微系統(tǒng)的關(guān)鍵核心技術(shù)。硅通孔可以有效縮短芯片間的互連距離,提高互連密度,從而實現(xiàn)更大的帶寬、更低的功耗和更小的尺寸。本書以作者多年來在垂直硅通孔結(jié)構(gòu)、模型、制造工藝等方面的研究成果為基礎(chǔ),系統(tǒng)全面地介紹硅通孔制備過程中的關(guān)鍵工藝技術(shù),是一本講述基于硅工藝的三維垂直互連技術(shù)的專著。此

    • ISBN:9787576324389
  • 半導(dǎo)體材料表征方法與技術(shù)
    • 半導(dǎo)體材料表征方法與技術(shù)
    • 楊周,劉生忠編著/2023-4-1/ 陜西師范大學(xué)出版社/定價:¥40
    • 本書以數(shù)據(jù)分析為基礎(chǔ),探討了半導(dǎo)體材料及器件的特征參數(shù)分析和檢測的方法和技術(shù)。全書共七章,包括數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、半導(dǎo)體材料的接觸及能帶結(jié)構(gòu)測量、半導(dǎo)體缺陷及測量、載流子遷移率的測量、載流子動力學(xué)和太陽能電池的基本原理及表征,對相關(guān)材料專業(yè)學(xué)生和科研工作人員具有很好的參考價值和意義。

    • ISBN:9787569531480