本書(shū)概述了氮化物半導(dǎo)體及其在功率電子和光電子器件中的應(yīng)用，解釋了這些材料的物理特性及其生長(zhǎng)方法，詳細(xì)討論了它們?cè)诟唠娮舆w移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應(yīng)用。本書(shū)進(jìn)一步研究了這些材料的可靠性問(wèn)題，并提出了將它們與2D材料結(jié)合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書(shū)具有較好的指導(dǎo)性和

超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書(shū)概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息，重點(diǎn)介紹了作者在功率超結(jié)器件研

本書(shū)主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對(duì)象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

本書(shū)內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導(dǎo)體器件的分類(lèi)及發(fā)展歷程，主要包括功率半導(dǎo)體器件這個(gè)“大家族”的主要成員及各自的特點(diǎn)和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎(chǔ)上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開(kāi)關(guān)器件，主要分為傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)

硅通孔垂直互連技術(shù)是實(shí)現(xiàn)三維集成電路與微系統(tǒng)的關(guān)鍵核心技術(shù)。硅通孔可以有效縮短芯片間的互連距離，提高互連密度，從而實(shí)現(xiàn)更大的帶寬、更低的功耗和更小的尺寸。本書(shū)以作者多年來(lái)在垂直硅通孔結(jié)構(gòu)、模型、制造工藝等方面的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)全面地介紹硅通孔制備過(guò)程中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，是一本講述基于硅工藝的三維垂直互連技術(shù)的專(zhuān)著。此

本書(shū)以數(shù)據(jù)分析為基礎(chǔ)，探討了半導(dǎo)體材料及器件的特征參數(shù)分析和檢測(cè)的方法和技術(shù)。全書(shū)共七章，包括數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、半導(dǎo)體材料的接觸及能帶結(jié)構(gòu)測(cè)量、半導(dǎo)體缺陷及測(cè)量、載流子遷移率的測(cè)量、載流子動(dòng)力學(xué)和太陽(yáng)能電池的基本原理及表征，對(duì)相關(guān)材料專(zhuān)業(yè)學(xué)生和科研工作人員具有很好的參考價(jià)值和意義。

本書(shū)對(duì)標(biāo)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級(jí))的考核方案，本題庫(kù)分為理論知識(shí)題庫(kù)和實(shí)操題庫(kù)兩部分。理論知識(shí)題庫(kù)按照工作任務(wù)進(jìn)行劃分，每個(gè)任務(wù)的考核由判斷題、選擇題、簡(jiǎn)述題和案例分析題四種題型構(gòu)成；同時(shí)，為方便學(xué)員的自我學(xué)習(xí)、自我檢查，該題庫(kù)還提供了部分習(xí)題的參考答案，利于學(xué)習(xí)效果的檢測(cè)。實(shí)操題庫(kù)根據(jù)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級(jí))中

本書(shū)介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書(shū)適合作為集成電路、微電子、電子科學(xué)與技術(shù)等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的雙語(yǔ)教學(xué)教材，內(nèi)容涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件的全部?jī)?nèi)容。全書(shū)在介紹學(xué)習(xí)器件物理所必需的基礎(chǔ)理論之后，重點(diǎn)討論了pn結(jié)、金屬–半導(dǎo)體接觸、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結(jié)型場(chǎng)效

本書(shū)從材料、工藝、結(jié)構(gòu)、性能、歷史、產(chǎn)業(yè)和前沿研究角度，對(duì)半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管進(jìn)行系統(tǒng)性的介紹。主要包括半導(dǎo)體與新能源，太陽(yáng)能電池概述，晶體硅太陽(yáng)能電池，薄膜硅太陽(yáng)能電池，碲化鎘太陽(yáng)能電池，砷化鎵太陽(yáng)能電池，銅銦硒太陽(yáng)能電池，染料敏化太陽(yáng)能電池，有機(jī)太陽(yáng)能電池，發(fā)光二極管概述，氮化鎵發(fā)光二極管，氧化鋅發(fā)光二極管