表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點(diǎn)，建立長期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測(cè)與返修等，其

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

本書主要介紹廣泛存在的各種輻射對(duì)納米CMOS器件及其電路的影響，涵蓋了各種輻射環(huán)境分析、電離損傷機(jī)理研究、納米器件的總劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)的建模仿真、輻射效應(yīng)對(duì)納米電路的影響及輻照實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)等，綜合考慮器件特征尺寸縮減對(duì)輻射效應(yīng)的影響，從器件、電路角度建模分析，給出了納電子器件及其電路的輻射效應(yīng)的分析方法和思路。本書對(duì)高

寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性質(zhì)，不僅在制備短波長光電子器件方面具有不可替代性，而且是制備高功率、高頻、高溫射頻電子器件和功率電子器件的**選半導(dǎo)體體系，在信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防軍工等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。本書系統(tǒng)介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O

全書共分6章，著重介紹了PCB熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)、元器件封裝的熱特性與PCB熱設(shè)計(jì)、高導(dǎo)熱PCB的熱特性、PCB散熱通孔（過孔）設(shè)計(jì)、PCB熱設(shè)計(jì)示例，以及PCB用散熱器。本書內(nèi)容豐富，敘述詳盡清晰，圖文并茂，通過大量的設(shè)計(jì)示例說明PCB熱設(shè)計(jì)中的一些技巧與方法及應(yīng)該注意的問題，實(shí)用性強(qiáng)。

《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導(dǎo)體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結(jié)，從磁特性和電輸運(yùn)特性的角度進(jìn)行了研究�！斗蔷�Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)

本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶體生長的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測(cè)、智能優(yōu)化及

本書對(duì)復(fù)雜的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)智能調(diào)度問題從理論到方法再到應(yīng)用,進(jìn)行了系統(tǒng)論述。主要內(nèi)容包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)調(diào)度框架、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預(yù)處理的方法、半導(dǎo)體生產(chǎn)線性能指標(biāo)相關(guān)性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機(jī)制的動(dòng)態(tài)派工規(guī)則、基于負(fù)載均衡的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的動(dòng)態(tài)調(diào)度和性能指標(biāo)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線動(dòng)態(tài)調(diào)度方法、大

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測(cè)試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究價(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)，分析了器件的電-熱性能表征方

按照國家科技圖書文獻(xiàn)中心為國家“十三五”規(guī)劃中的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃開展科技信息支撐和保障服務(wù)的戰(zhàn)略部署，結(jié)合“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)及中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心情報(bào)分析與服務(wù)特色和優(yōu)勢(shì)，本書遴選了第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域作為研究對(duì)象。本書調(diào)研了主要科技發(fā)達(dá)國家制定的第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)科技政策；對(duì)以碳化硅（SiC）、氮化鎵

本書從現(xiàn)代微電子裝備生產(chǎn)、使用中所發(fā)生的大大小小的數(shù)百個(gè)缺陷和故障中，篩選出201個(gè)較典型的案例，按照現(xiàn)象描述及分析、形成原因及機(jī)理、解決措施等層次，將其編輯成冊(cè)，旨在為現(xiàn)代微電子裝備生產(chǎn)、使用中所發(fā)生的缺陷與故障的診斷提供一個(gè)較為敏捷的解決方法。本書可作為大中型電子制造企業(yè)中從事微電子裝備制造工藝、質(zhì)量、用戶服務(wù)、計(jì)

本書以碳化硅和氮化鎵電力電子器件為主要對(duì)象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎(chǔ)與基本原理；然后介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數(shù)，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點(diǎn)，闡述寬禁帶電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、原理與設(shè)計(jì)方法；最后介紹在寬禁帶電力電子器件

本書為新能源類專業(yè)教學(xué)資源庫建設(shè)配套教材。本書主要講述了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的制備原理及生產(chǎn)過程，內(nèi)容包括三氯氫硅的合成、精餾提純，三氯氫硅氫還原制備高純硅，尾氣干法回收，硅芯的制備等核心內(nèi)容，同時(shí)對(duì)氣體的制備與凈化、四氯化硅的綜合利用與處理、純水的制備做了詳細(xì)介紹。本書緊密結(jié)合生產(chǎn)實(shí)踐，注重理論與實(shí)踐的有機(jī)結(jié)合。書

本書根據(jù)作者從事半導(dǎo)體材料研究所積累的理論知識(shí)、工作經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)資料，在查閱了大量的書籍和文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上，將與半導(dǎo)體材料專業(yè)技術(shù)相關(guān)的知識(shí)要點(diǎn)提取出來，并根據(jù)作者的理解將相關(guān)內(nèi)容分成6個(gè)部分，即半導(dǎo)體材料概述、材料物理性能、晶體生長、熱處理、材料性能測(cè)量和半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)技術(shù)。其中半導(dǎo)體材料物理性能被劃分為三大類12個(gè)方

本書以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應(yīng)用問題，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。

本書在介紹單晶硅的物理、化學(xué)和半導(dǎo)體性質(zhì)，以及單晶硅片在集成電路制造中的應(yīng)用和加工要求的基礎(chǔ)上，全面系統(tǒng)地闡述了硅片旋轉(zhuǎn)磨削原理、超精密磨削機(jī)理、超精密磨削工藝、超精密磨床，完整地總結(jié)了著者及其團(tuán)隊(duì)十多年來在硅片超精密磨削理論與技術(shù)方面的研究成果。全書共9章，其中第1章介紹單晶硅的基本性質(zhì)與應(yīng)用，第2章介紹集成電路制造

本書為“低維材料與器件叢書”之一。過去二十多年，半導(dǎo)體納米線因其獨(dú)特結(jié)構(gòu)與優(yōu)異性能引起了世界各國科學(xué)家的高度關(guān)注與廣泛研究，半導(dǎo)體納米線功能器件在不同領(lǐng)域都展現(xiàn)出巨大的前景。本書基于作者多年的科研工作，并結(jié)合國內(nèi)外的最新研究進(jìn)展，系統(tǒng)介紹了半導(dǎo)體納米線功能器件的研究成果。內(nèi)容涵蓋了從半導(dǎo)體納米線功能器件的發(fā)展現(xiàn)狀和加工

本書梳理和總結(jié)了中國科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動(dòng)的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎(jiǎng)項(xiàng)以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對(duì)推動(dòng)我國半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、