本書全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點(diǎn)納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對(duì)第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場(chǎng)和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場(chǎng)和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進(jìn)行了詳細(xì)論述。

本書以著名光子學(xué)家郭光燦院士指出的“書乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識(shí)其真要，奉獻(xiàn)讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)為用。首先對(duì)各種單元技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、運(yùn)轉(zhuǎn)機(jī)理等基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行介紹；然后分別介紹激光調(diào)制、偏轉(zhuǎn)、調(diào)Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學(xué)、激光微束等技術(shù)，其

超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息，重點(diǎn)介紹了作者在功率超結(jié)器件研

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對(duì)象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

單片智能功率芯片是一種功能與結(jié)構(gòu)高度集成化的高低壓兼容芯片，其內(nèi)部集成了高壓功率器件、高低壓轉(zhuǎn)換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開(kāi)關(guān)器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術(shù)鏈條的最前端。本書從氣體傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域和系統(tǒng)分類出發(fā)，重點(diǎn)圍繞基于混成電位原理的固體電解質(zhì)氣體傳感器的研究進(jìn)展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)進(jìn)行介紹。本書主要內(nèi)容包括固體電解質(zhì)氣體傳感器的種類和特點(diǎn)、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構(gòu)筑、其他增感策略以

半導(dǎo)體光電子學(xué)是研究半導(dǎo)體光子和光電子器件的學(xué)科，涉及各種半導(dǎo)體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術(shù)，在能源、顯示、傳感和通信等領(lǐng)域都擁有廣泛的應(yīng)用�！禕R》本書主要包括半導(dǎo)體材料基本性質(zhì)、半導(dǎo)體光電子器件基本結(jié)構(gòu)、載流子注入與速率方程、半導(dǎo)體激光器基本理論、光信號(hào)調(diào)制、半導(dǎo)體光電探測(cè)器、太陽(yáng)能光熱與光伏、半導(dǎo)體光

全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測(cè)評(píng)等，既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測(cè)試等。全書內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測(cè)試奠定理論基礎(chǔ)；同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評(píng)估和主動(dòng)運(yùn)維提供技術(shù)支撐，從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點(diǎn)，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識(shí)、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書共8章，內(nèi)容包括集成電路簡(jiǎn)介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機(jī)、等離子體測(cè)試和表征、等離子體仿真、顆�？刂坪土慨a(chǎn)。本