光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導(dǎo)體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結(jié)，從磁特性和電輸運(yùn)特性的角度進(jìn)行了研究�！斗蔷�Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)

本書對(duì)復(fù)雜的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)智能調(diào)度問題從理論到方法再到應(yīng)用,進(jìn)行了系統(tǒng)論述。主要內(nèi)容包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)調(diào)度框架、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預(yù)處理的方法、半導(dǎo)體生產(chǎn)線性能指標(biāo)相關(guān)性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機(jī)制的動(dòng)態(tài)派工規(guī)則、基于負(fù)載均衡的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的動(dòng)態(tài)調(diào)度和性能指標(biāo)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線動(dòng)態(tài)調(diào)度方法、大

本書是作者長(zhǎng)期從事直拉硅單晶生長(zhǎng)過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長(zhǎng)設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長(zhǎng)過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測(cè)、智能優(yōu)化及

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國(guó)防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測(cè)試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)，分析了器件的電-熱性能表征方

本書以碳化硅和氮化鎵電力電子器件為主要對(duì)象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎(chǔ)與基本原理；然后介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數(shù)，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點(diǎn)，闡述寬禁帶電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、原理與設(shè)計(jì)方法；最后介紹在寬禁帶電力電子器件

本書從現(xiàn)代微電子裝備生產(chǎn)、使用中所發(fā)生的大大小小的數(shù)百個(gè)缺陷和故障中，篩選出201個(gè)較典型的案例，按照現(xiàn)象描述及分析、形成原因及機(jī)理、解決措施等層次，將其編輯成冊(cè)，旨在為現(xiàn)代微電子裝備生產(chǎn)、使用中所發(fā)生的缺陷與故障的診斷提供一個(gè)較為敏捷的解決方法。本書可作為大中型電子制造企業(yè)中從事微電子裝備制造工藝、質(zhì)量、用戶服務(wù)、計(jì)

本書根據(jù)作者從事半導(dǎo)體材料研究所積累的理論知識(shí)、工作經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)資料，在查閱了大量的書籍和文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上，將與半導(dǎo)體材料專業(yè)技術(shù)相關(guān)的知識(shí)要點(diǎn)提取出來，并根據(jù)作者的理解將相關(guān)內(nèi)容分成6個(gè)部分，即半導(dǎo)體材料概述、材料物理性能、晶體生長(zhǎng)、熱處理、材料性能測(cè)量和半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)技術(shù)。其中半導(dǎo)體材料物理性能被劃分為三大類12個(gè)方