《信息科學(xué)技術(shù)學(xué)術(shù)著作叢書：硅通孔3D集成技術(shù)》系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術(shù)的最新進(jìn)展和未來可能的演變趨勢，同時詳盡討論三維集成關(guān)鍵技術(shù)中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導(dǎo)體工業(yè)中的納米技術(shù)和三維集成技術(shù)的起源和演變歷史，結(jié)合當(dāng)前三維集成關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展重點(diǎn)討論

本書主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截斷、單晶硅棒與多晶硅錠開方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線切割、硅片清洗、硅片檢測與包裝等。本書根據(jù)硅片生產(chǎn)工藝流程，采用任務(wù)驅(qū)動、項目訓(xùn)練的方法組織教學(xué)，以側(cè)重實(shí)踐操作技能為原則，注重實(shí)踐與理論的緊密結(jié)合，以職業(yè)崗位能力為主線突出應(yīng)用性和實(shí)踐性。本書適合

納米半導(dǎo)體具有常規(guī)半導(dǎo)體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領(lǐng)域具有空前的應(yīng)用前景，成為新興納米產(chǎn)業(yè)，如納米信息產(chǎn)業(yè)、納米環(huán)保產(chǎn)業(yè)、納米能源產(chǎn)業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動力�！都{米半導(dǎo)體材料與器件》力求以最新內(nèi)容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導(dǎo)體特殊性能及其在信息

楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導(dǎo)體材料(第3版)》是為大學(xué)本科與半導(dǎo)體相關(guān)的專業(yè)編寫的教材，介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物

《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關(guān)氮化物材料。全書共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機(jī)理，HEMT材料的電學(xué)性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/

本書主要以異質(zhì)結(jié)雙晶體管、高電子遷移率晶體管、共振遂穿電子器件、單電子輸運(yùn)器件、量子結(jié)構(gòu)激光器、量子結(jié)構(gòu)紅外探測器和量子結(jié)構(gòu)太陽電池為主,比較系統(tǒng)地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對自旋電子器件、單分子器件和量子計算機(jī)等內(nèi)容進(jìn)行了簡單介紹。

《有機(jī)電子學(xué)》從有機(jī)電子學(xué)的角度，深入淺出地概括總結(jié)了有機(jī)電子材料中的電子結(jié)構(gòu)與過程，并以此解釋了有機(jī)固體凝聚態(tài)的各種性質(zhì)。這些性質(zhì)對實(shí)際應(yīng)用中的有機(jī)光電器件的行為起決定性的作用�；�于對理論的理解，《有機(jī)電子學(xué)》緊接著介紹了有機(jī)材料性質(zhì)的測試表征手段以及有機(jī)薄膜的制備手段。同時將理論與實(shí)踐相結(jié)合，書中相繼介紹和討論了有

《半導(dǎo)體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準(zhǔn)確的語言，介紹典型半導(dǎo)體器件的核心知識，主要包括半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、pn結(jié)、雙極型晶體管、場效應(yīng)晶體管、金屬-半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體光電子器件�！栋雽�(dǎo)體器件原理簡明教程》在闡明基本結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，還介紹了微電子領(lǐng)域的一些新技術(shù)，如應(yīng)變異質(zhì)結(jié)、能帶工程、量子阱激光器等。《

《半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)與考研指導(dǎo)》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導(dǎo)體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學(xué)輔導(dǎo)資料。全書共分為11章，內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬一半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移

本書的主要內(nèi)容包括：高分辨X射線衍射，光學(xué)性質(zhì)檢測分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運(yùn)用，透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究中的應(yīng)用，半導(dǎo)體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導(dǎo)體材料（第三代半導(dǎo)體和低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料）物理表征的實(shí)驗(yàn)技術(shù)和具體應(yīng)用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實(shí)驗(yàn)技術(shù)，如LEED，