本書結合我國節(jié)能減排工程計劃和國內(nèi)外風光互補LED照明系統(tǒng)的發(fā)展動態(tài)，系統(tǒng)地講解了風光互補LED照明系統(tǒng)的設計、施工、安裝、調試及應用。本書主要內(nèi)容包括太陽能、風能、風光互補LED照明系統(tǒng)的設計相關的基礎知識，太陽能LED路燈、景觀燈的應用。同時也深入淺出地闡述了太陽能板、風力發(fā)電機、蓄電池、風光互補控制器、LED光源

本書基于作者多年從事LED芯片設計與制造技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的經(jīng)驗，詳細介紹了提高水平結構LED芯片、倒裝結構LED芯片和高壓LED芯片外量子效率的設計與制造技術。采用微加工技術在水平結構LED芯片的正面、底面和側面集成微納光學結構，提高其發(fā)光效率。采用高反射率、低阻P型歐姆接觸電極和通孔接觸式N型電極提高倒裝結構LED芯

本書從有機薄膜晶體管的發(fā)展歷程、器件結構與原理、材料種類、器件性能及應用等方面對這種新型的有機電子器件作了較全面的論述。重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在有機薄膜晶體管有源層及介電層材料方面的研究成果，涵蓋小分子材料、高分子材料、液晶材料、介電材料、材料計算模擬、有機單晶材料的發(fā)展與生長方法等。系統(tǒng)闡述了提高有機薄膜晶體管器

本書梳理和總結了中國科學院院士、半導體材料及材料物理學家王占國院士近60年從事半導體材料領域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎項以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導體材料及材料物理學家，對推動我國半導體材料科學領域的學術繁榮、學科發(fā)展、

本書根據(jù)大功率IGBT驅動與保護技術的**發(fā)展現(xiàn)狀，結合團隊多年積累的科研成果和技術經(jīng)驗，對IGBT驅動和保護技術進行了全面的介紹。全書在介紹IGBT器件及驅動**發(fā)展現(xiàn)狀的基礎上，從IGBT器件結構、特性以及工作原理出發(fā)，詳細地分析了影響大功率IGBT開關特性的因素，介紹了IGBT模塊的參數(shù)，進而對IGBT模塊的驅動

近年來，全球OLED技術和產(chǎn)業(yè)布局發(fā)展迅猛，柔性高世代OLED生產(chǎn)線陸續(xù)建設、投產(chǎn)，OLED產(chǎn)業(yè)無疑成為電子信息領域的產(chǎn)業(yè)藍海。然而與之不相匹配的是OLED專業(yè)人員和相關書籍的嚴重不足�！禣LED顯示技術導論》從有機電致發(fā)光二極管設計的基礎理論著手，逐步拓展到當前實際工程應用到的各種發(fā)光器件的設計和應用原理。涉及的內(nèi)容

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀八十年代直到今天持續(xù)活躍的關于半導體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導體中氫原子與分子的最初實驗發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻），到硅等元素半導體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導體中氫的基本性質和重要效應。其中包括對材料和器件研制至關重要的含氫復合物，荷電雜質與缺陷的中性化，氫致半導

半導體器件數(shù)值模擬計算方法是現(xiàn)代計算數(shù)學和工業(yè)與應用數(shù)學的重要領域。半導體器件數(shù)值模擬是用電子計算機模擬半導體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設計和研制新型半導體器件結構的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書從白光LED的光譜設計與封裝出發(fā)，立足于解決當前高光色質量的白光LED設計與制造中存在的關鍵性難點。全書分為6章，分別是白光LED簡介、高顯色性能的白光LED光譜優(yōu)化、針對人體生物安全性的LED光譜優(yōu)化方法、考慮物體表面反射特性的節(jié)能光源光譜優(yōu)化、高光學性能的白光LED光學建模和高光學性能的白光LED封裝優(yōu)化。

本書主要描述半導體材料的主要測試分析技術，介紹各種測試技術的基本原理、儀器結構、樣品制備和分析實例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質和缺陷的測試，其測試分析技術涉及到四探針電阻率測試、無接觸電阻率測試、擴展電阻、微波光電導衰減測試、霍爾效應測試、紅外光譜測試、深能級瞬態(tài)譜測試、正電子湮滅