產業(yè)專利分析報告(第50冊)——芯片先進制造工藝
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- 作者:張茂于
- 出版時間:2017/6/30
- ISBN:9787513049535
- 出 版 社:知識產權出版社
- 中圖法分類:G306.71 TN430.5
- 頁碼:268
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開本:16K
本書是芯片先進制造工藝行業(yè)的專利分析報告。報告從該行業(yè)的專利(國內、國外)申請、授權、申請人的已有專利狀態(tài)、其他先進國家的專利狀況、同領域領先企業(yè)的專利壁壘等方面入手,充分結合相關數據,展開分析,并得出分析結果。本書是了解該行業(yè)技術發(fā)展現狀并預測未來走向,幫助企業(yè)做好專利預警的必備工具書。
“十二五”期間,專利分析普及推廣項目每年選擇若干行業(yè)開展專利分析研究,推廣專利分析成果,普及專利分析方法!懂a業(yè)專利分析報告》(第1~48冊)系列叢書自出版以來,受到各行業(yè)廣大讀者的廣泛歡迎,有力推動了各產業(yè)的技術創(chuàng)新和轉型升級。
2016年作為“十三五”的開局之年,專利分析普及推廣項目繼續(xù)秉承“源于產業(yè)、依靠產業(yè)、推動產業(yè)”的工作原則,在綜合考慮來自行業(yè)主管部門、行業(yè)協(xié)會、創(chuàng)新主體的眾多需求后,最終選定了10個產業(yè)開展專利分析研究工作。這10個產業(yè)包括無人機、芯片先進制造工藝、虛擬現實與增強現實、腫瘤免疫療法、現代煤化工、海水淡化、智能可穿戴設備、高端醫(yī)療影像設備、特種工程塑料以及自動駕駛,均屬于我國科技創(chuàng)新和經濟轉型的核心產業(yè)。近一年來,約100名專利審查員參與項目研究,對10個產業(yè)進行深入分析,幾經易稿,形成了10份內容實、質量高、特色多、緊扣行業(yè)需求的專利分析報告,共計近400萬字、2000余幅圖表。
2016年度的產業(yè)專利分析報告在加強方法創(chuàng)新的基礎上,進一步深化了發(fā)明人合作關系、產品與專利、市場與專利、專利訴訟等多個方面的研究,并在課題研究中得到了充分的應用和驗證。例如腫瘤免疫療法課題組對施貴寶和默沙東的專利訴訟進行了深入研究,虛擬現實與增強現實課題組對產品和專利的關系進行了深入分析,無人機課題組嘗試進行了開拓海外市場的專利分析。
2016年度專利分析普及推廣項目的研究得到了社會各界的廣泛關注和大力支持。來自社會各界的近百名行業(yè)和技術專家多次指導課題工作,為課題順利開展作出了貢獻。課題研究得到了工業(yè)和信息化部相關領導的重視,特別是工業(yè)和信息化部原材料司副司長潘愛華先生和科技司基礎技術處副處長阮汝祥先生多次親臨指導。行業(yè)協(xié)會在課題開展過程中提供了極大的助力,尤其是中國石油和化學工業(yè)聯合會副會長趙俊貴先生和聯合會科技部副主任王秀江先生多次指導課題!懂a業(yè)專利分析報告》(第49~58冊)凝聚社會各界智慧,旨在服務產業(yè)發(fā)展。希望各地方政府、各相關行業(yè)、相關企業(yè)以及科研院所能夠充分發(fā)掘專利分析報告的應用價值,為專利信息利用提供工作指引,為行業(yè)政策研究提供有益參考,為行業(yè)技術創(chuàng)新提供有效支撐。
由于報告中專利文獻的數據采集范圍和專利分析工具的限制,加之研究人員水平有限,報告的數據、結論和建議僅供社會各界借鑒研究。
審查業(yè)務部的各報告課題組,及相關行業(yè)協(xié)會。每個課題組有20-30個人組成,分別進行數據收集、整理、分析、制圖、審核、統(tǒng)稿。
第1章研究概述
1.1研究背景
1.1.1技術概況
1.1.2產業(yè)現狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對象和方法
1.2.1技術分解
1.2.2數據檢索
1.2.3查全率、查準率評估
1.2.4相關事項約定
第2章芯片制造工藝專利現狀分析
2.1概述
2.1.1外延工藝簡述
2.1.2光刻工藝簡述
2.1.3刻蝕工藝簡述
2.1.4摻雜工藝簡述
2.1.5銅互連工藝簡介
2.2全球專利申請狀況
2.2.1全球專利申請態(tài)勢分析
2.2.2全球主要申請人分析
2.2.3專利申請國別地區(qū)分布
2.3中國專利申請狀況
2.3.1中國專利申請態(tài)勢分析
2.3.2中國主要申請人分析
2.3.3法律狀態(tài)分析
2.4小結與建議
第3章光刻技術專利現狀分析
3.1概述
3.2浸沒式光刻技術的專利分析
3.2.1全球專利申請狀況
3.2.2中國專利申請狀況
3.3多重圖形光刻技術的專利分析
3.3.1全球專利申請狀況
3.3.2中國專利申請狀況
3.4電子束光刻技術的專利現狀
3.4.1全球專利申請狀況
3.4.2中國專利申請狀況
3.5小結與建議
第4章先進邏輯器件結構及其制造工藝專利現狀分析
4.1FinFET技術的專利現狀
4.1.1概述
4.1.2全球專利申請態(tài)勢分析
4.1.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.1.4FinFET技術發(fā)展路線
4.2FDSOI技術的專利現狀
4.2.1概述
4.2.2全球專利申請態(tài)勢分析
4.2.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.2.4FDSOI技術技術發(fā)展路線
4.3NWFET技術的專利現狀
4.3.1概述
4.3.2全球專利申請態(tài)勢分析
4.3.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.4小結與建議
第5章3D
NAND制造工藝的專利現狀分析
5.1概述
5.2全球專利申請態(tài)勢分析
5.2.1申請趨勢分析
5.2.2主要技術分布
5.2.3重要申請人分析
5.2.4重要發(fā)明人分析
5.3中國專利申請態(tài)勢分析
5.3.1申請趨勢分析
5.3.2主要申請人分析
5.4技術發(fā)展路線
5.4.1三星
5.4.2東芝
5.4.3海力士
5.5非實體生產公司專利布局
5.6小結與建議
第6章攻防分析
6.1旺宏與飛索
6.1.1旺宏專利狀況
6.1.2飛索專利狀況
6.1.3旺宏與飛索專利訴訟
6.1.4專利比對
6.1.5小結與建議
6.2海力士與東芝
6.2.1海力士專利狀況
6.2.2東芝專利狀況
6.2.3戰(zhàn)略聯盟
6.2.4海力士與東芝閃迪專利訴訟
6.2.5專利比對
6.2.6小結與建議
第7章結論
7.1主要結論
7.1.1晶圓處理工序及其關鍵步驟
7.1.2先進邏輯器件及其制造工藝
7.1.33D
NAND存儲器件及其制造工藝
7.1.4攻防分析
7.2主要建議
7.2.1企業(yè)建議
7.2.2行業(yè)建議
附錄
圖索引
表索引