定 價(jià)：125 元
叢書(shū)名：微電子與集成電路先進(jìn)技術(shù)叢書(shū)
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- 作者：付越
- 出版時(shí)間：2018/5/1
- ISBN：9787111592730
- 出 版 社：機(jī)械工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TN303-39
- 頁(yè)碼：321
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開(kāi)本：16開(kāi)
本書(shū)從電力電子到功率集成電路（PIC）、智能功率技術(shù)、器件等方面給電源管理和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了一個(gè)完整的描述。本書(shū)不僅介紹了集成功率半導(dǎo)體器件，如橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（LDMOSFET）、橫向絕緣柵雙極型晶體管（LIGBT）和超結(jié)LDMOSFET的內(nèi)部物理現(xiàn)象，還對(duì)電源管理系統(tǒng)進(jìn)行了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。本書(shū)運(yùn)用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)（TCAD）仿真實(shí)例講解集成功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)，代替抽象的理論處理和令人生畏的方程，并且還探討了下一代功率器件，如氮化鎵高電子遷移率功率晶體管（GaN功率HEMT）。本書(shū)內(nèi)容有助于填補(bǔ)功率器件工程和電源管理系統(tǒng)之間的空白。書(shū)中包括智能PIC的一個(gè)典型的工藝流程以及很難在其他同類書(shū)中找到的技術(shù)開(kāi)發(fā)組織圖，通過(guò)對(duì)本書(shū)的閱讀，可以使學(xué)生和年輕的工程師在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域領(lǐng)先一步。
從２０世紀(jì)４０年代末晶體管的發(fā)明開(kāi)始，晶體管主要沿著兩個(gè)方向，即器件的小型化以及性能改進(jìn)發(fā)展。性能改進(jìn)的關(guān)鍵參數(shù)之一是晶體管的額定功率，它的發(fā)展導(dǎo)致功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)生。因?yàn)樗械碾娮悠骷夹枰粋�(gè)合適工作的電源和電源管理電路，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域是過(guò)去幾十年晶體管發(fā)展的一個(gè)重要領(lǐng)域。
近年來(lái)，器件小型化使得最小特征尺寸接近納米級(jí)，而目前的超大規(guī)模集成電路（ＵＬＳＩ）技術(shù)能夠把數(shù)十億個(gè)晶體管集成在一個(gè)芯片上，這在芯片供電時(shí)會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的問(wèn)題。此外，由于環(huán)境問(wèn)題需要更高的功率效率，也給系統(tǒng)的電源管理和電源電路帶來(lái)了沉重的負(fù)擔(dān)。這些和其他相關(guān)問(wèn)題推動(dòng)了功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)研究。
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)是針對(duì)高額定功率的分立功率器件。典型結(jié)構(gòu)是雙極型功率晶體管和晶閘管。由于這些器件緩慢的開(kāi)關(guān)速度和較大的開(kāi)關(guān)損耗，發(fā)明了快速開(kāi)關(guān)器件，如垂直雙擴(kuò)散ＭＯＳ（ＶＤＭＯＳ） 晶體管，而應(yīng)對(duì)較小的功率損耗，發(fā)明了絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ）。隨著集成電路（ＩＣ）技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越普遍，推動(dòng)了集成功率晶體管與控制ＩＣ的低成本、結(jié)構(gòu)緊湊和高性能的應(yīng)用。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，開(kāi)發(fā)了橫向雙擴(kuò)散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ） 晶體管和橫向絕緣柵雙極型晶體管（ＬＩＧＢＴ）。這是功率ＩＣ （ＰＩＣ） 技術(shù)發(fā)展的黃金時(shí)代，并開(kāi)發(fā)出了不同的雙極ＣＭＯＳＤＭＯＳ（ＢＣＤ）技術(shù)。
伴隨如今發(fā)達(dá)的ＵＬＳＩ和ＰＩＣ技術(shù)，預(yù)計(jì)片上功率系統(tǒng)（ＰｏｗｅｒＳＯＣ）的發(fā)展對(duì)未來(lái)的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用將是一個(gè)非常有前途的方向。當(dāng)然，要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，實(shí)現(xiàn)高性能單片無(wú)源元件的各種其他技術(shù)，也需要有效的無(wú)源元件和ＩＣ集成以及有效的功耗技術(shù)。
ＰＩＣ技術(shù)的開(kāi)發(fā)，無(wú)論是高性能的橫向功率晶體管還是工藝技術(shù)都是必需的。對(duì)半導(dǎo)體器件和工藝技術(shù)的高效設(shè)計(jì)，在業(yè)界常用到計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)（ＴＣＡＤ）工具。市面上已經(jīng)出版了一些關(guān)于功率器件設(shè)計(jì)和工藝開(kāi)發(fā)的書(shū)籍，但沒(méi)有特別關(guān)注如何利用ＴＣＡＤ工具設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)功率器件和ＰＩＣ的。本書(shū)目的是滿足這方面的需要，特別是剛剛進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的工程師，對(duì)采用ＴＣＡＤ工具對(duì)器件和工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)提供一個(gè)快速入門的途徑。
本書(shū)采用了自上而下的方法，引領(lǐng)新的工程師進(jìn)入到該領(lǐng)域。它從基本的電力電子系統(tǒng)開(kāi)始，同時(shí)介紹了功率ＩＣ，并在進(jìn)入智能功率集成電路技術(shù)之前引導(dǎo)讀者探索半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，然后解釋基本工藝和器件模擬的ＴＣＡＤ建模，并討論了具體制造過(guò)程的精確和可靠模擬結(jié)果的模型校準(zhǔn)，然后對(duì)如何利用ＴＣＡＤ工具進(jìn)行功率ＩＣ工藝開(kāi)發(fā)和功率器件設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，這包括許多實(shí)際功率器件和工藝技術(shù)與工業(yè)設(shè)計(jì)有關(guān)的ＴＣＡＤ方法和過(guò)程的仿真實(shí)例。超過(guò)３００張的圖示有效地說(shuō)明了功率器件和設(shè)計(jì)的關(guān)鍵概念和技術(shù)。最后，簡(jiǎn)要介紹了ＧａＮ功率器件的ＴＣＡＤ仿真，特別是對(duì)那些具有硅技術(shù)背景的，剛開(kāi)始從事這一領(lǐng)域的讀者非常有幫助。
在本書(shū)的寫作過(guò)程中，作者得到了很多人的幫助和支持。要對(duì)他們每一個(gè)人慷慨的幫助和支持表示衷心的感謝。特別要感謝ＣｒｏｓｓｌｉｇｈｔＳｏｆｔｗａｒｅ的ＭｉｃｈｅｌＬｅｓｔｒａｄｅ，在審閱和校對(duì)工作中做出了重要貢獻(xiàn)；感謝不列顛哥倫比亞大學(xué)ＭａｇｇｉｅＸｉａ和Ｄｒ．ＹｕａｎｗｅｉＤｏｎｇ教授對(duì)第７章工藝仿真和其他章節(jié)的審閱；感謝浙江大學(xué)ＧａｎｇＸｉｅ教授對(duì)第１０章關(guān)于ＧａＮ器件仿真模擬的審閱；感謝ＭｅｇａＨｅｒｔｚＰｏｗｅｒＳｙｓｔｅｍｓ公司首席執(zhí)行官ＲｏｂｅｒｔＴａｙｌｏｒ和ＧｒｅｅｃｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ公司的ＲｏｕｍｅｎＰｅｔｋｏｖ博士對(duì)第１章的審閱和建議；感謝飛兆半導(dǎo)體公司（ＵＳＡ） ＧａｒｙＤｏｌｎｙ博士和伊利諾理工大學(xué)的ＪｏｈｎＳｈｅｎ教授對(duì)全書(shū)初步審閱和建議。
最后，特別感謝Ｔａｙｌｏｒ＆ Ｆｒａｎｃｉｓ的ＮｏｒａＫｏｎｏｐｋａ、ＭｉｃｈｅｌｅＳｍｉｔｈ、ＫａｔｈｒｙｎＥｖｅｒｅｔｔ、ＩｒｉｓＦａｈｒｅｒ和ＴｈｅｒｅｓａＤｅｌｆｏｒｎ專業(yè)和熱情的幫助。
譯者序
原書(shū)前言
作者簡(jiǎn)介
第１章 電力電子，可以實(shí)現(xiàn)綠色的技術(shù)１
１.１ 電力電子介紹１
�。�.２ 電力電子的發(fā)展歷程３
�。�.３�。模茫模米儞Q器４
�。�.４ 線性穩(wěn)壓器４
�。�.５ 開(kāi)關(guān)電容ＤＣ／ＤＣ變換器（電荷泵） ５
１.６ 開(kāi)關(guān)模式ＤＣ／ＤＣ變換器６
�。�.７ 線性穩(wěn)壓器、電荷泵和開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的比較８
�。�.８ 非隔離ＤＣ／ＤＣ開(kāi)關(guān)變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)８
�。�.８.１�。拢酰悖胱儞Q器９
�。�.８.２�。拢铮铮螅糇儞Q器１１
�。�.８.３ Ｂｕｃｋ－ｂｏｏｓｔ變換器１２
�。�.８.４ Ｃｕｋ變換器１４
�。�.８.５ 非隔離式變換器額外的話題１４
�。�.９ 隔離的開(kāi)關(guān)變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)１６
�。�.９.１ 反激式變換器１６
１.９.２ 正激式變換器１７
�。�.９.３ 全橋變換器１８
１.９.４ 半橋變換器１９
�。�.９.５ 推挽變換器２０
�。�.９.６ 隔離ＤＣ／ＤＣ變換器其他話題２０
�。�.９.７ 隔離ＤＣ／ＤＣ變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的比較２２
１.１０�。樱校桑茫烹娐贩抡妫玻�
�。�.１１ 對(duì)于電池供電器件的電源管理系統(tǒng)２３
１.１２ 小結(jié)２４
第２章 功率變換器和電源管理芯片２５
�。�.１ 用于ＶＬＳＩ電源管理的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)２５
２.２ 集成的ＤＣ／ＤＣ變換器２７
�。�.２.１ 分段的輸出級(jí)２９
�。�.２.２ 一個(gè)輔助級(jí)的瞬態(tài)抑制３２
２.３ 小結(jié)３６
第３章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和超摩爾定律３７
�。�.１ 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)３７
�。�.２ 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史３８
３.２.１ 一個(gè)簡(jiǎn)要的時(shí)間表３８
�。�.２.２ 八叛逆３８
３.２.３ 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史路線圖３９
�。�.３ 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的食物鏈金字塔４０
３.３.１ 第１層：晶圓和ＥＤＡ工具４１
�。�.３.２ 第２層：器件工程４２
�。�.３.３ 第３層：ＩＣ設(shè)計(jì)４２
�。�.３.４ 第４層：制造、封裝和測(cè)試４３
３.３.５ 第５層：系統(tǒng)和軟件４３
�。�.３.６ 第６層：市場(chǎng)營(yíng)銷４４
�。�.４ 半導(dǎo)體公司４５
�。�.５ 超摩爾定律４６
第４章 智能功率ＩＣ技術(shù)４９
４.１ 智能功率ＩＣ技術(shù)基礎(chǔ)４９
�。�.２ 智能功率ＩＣ技術(shù)：歷史展望５０
�。�.３ 智能功率ＩＣ技術(shù)：產(chǎn)業(yè)展望５２
�。�.３.１ 智能功率ＩＣ技術(shù)的工程組５２
４.３.２ 智能功率ＩＣ技術(shù)開(kāi)發(fā)流程５５
�。�.３.３ 計(jì)劃階段５６
４.３.４ 工藝集成和器件設(shè)計(jì)５７
�。�.３.５ 布圖、投片、制造和測(cè)試５８
�。�.３.６ 可靠性和標(biāo)準(zhǔn)５９
�。�.３.７ 目前智能功率技術(shù)的概述６０
４.４ 智能功率ＩＣ技術(shù)：技術(shù)展望６１
�。�.４.１ 智能功率技術(shù)中的器件６２
�。�.４.２ 智能功率ＩＣ技術(shù)的設(shè)計(jì)考慮６２
�。�.４.３ 隔離方法６５
第５章 ＴＣＡＤ工藝仿真介紹６７
�。�.１ 概述６７
�。�.２ 網(wǎng)格設(shè)置和初始化６７
５.３ 離子注入６９
５.３.１分析模型７０
�。�.３.２ 多層注入７１
目 錄Ⅸ
５.３.３�。停铮睿簦澹茫幔颍欤锬M７１
�。�.４ 淀積７２
�。�.５ 氧化７３
５.５.１ 干氧氧化７３
�。�.５.２ 濕氧氧化７４
５.５.３ 氧化模型７４
�。�.６ 刻蝕７６
５.７ 擴(kuò)散７７
�。�.７.１ 擴(kuò)散機(jī)制７８
�。�.７.２ 擴(kuò)散模型７９
５.８ 分凝８０
�。�.９ 工藝模擬器模型的校準(zhǔn)８３
５.１０�。常� ＴＣＡＤ工藝仿真介紹８４
�。�.１１ ＧＰＵ仿真８５
第６章�。裕茫粒钠骷抡娼榻B８７
�。�.１ 概述８７
�。�.２ 器件仿真基礎(chǔ)８７
６.２.１ 漂移－擴(kuò)散模型８７
�。�.２.２ 離散化８８
�。�.２.３�。危澹鳎簦铮罘椒ǎ福�
�。�.２.４ 初始猜測(cè)和自適應(yīng)偏置步長(zhǎng)８９
６.２.５ 收斂問(wèn)題９０
�。�.２.６ 邊界條件９１
６.２.７ 瞬態(tài)仿真９３
�。�.２.８ 網(wǎng)格問(wèn)題９３
�。�.３ 物理模型９３
�。�.３.１ 載流子統(tǒng)計(jì)９４
�。�.３.２ 雜質(zhì)的不完全電離９４
�。�.３.３ 重?fù)诫s效應(yīng)９４
�。�.３.４�。樱遥群停粒酰纾澹驈�(fù)合９４
�。�.３.５ 雪崩擊穿和碰撞電離９５
�。�.３.６ 載流子遷移率１０１
�。�.３.７ 熱和自加熱１０６
�。�.３.８ 帶隙變窄效應(yīng)１０７
６.４�。粒梅治觯保埃�
�。�.４.１ 引言１０７
６.４.２ 基本的公式１０８
�。�.４.３ 在ＴＣＡＤ中的ＡＣ分析１１０
�、� 集成功率器件設(shè)計(jì)及ＴＣＡＤ仿真
６.５ 在ＴＣＡＤ仿真中的陷阱模型１１１
�。�.５.１ 陷阱電荷的狀態(tài)１１１
�。�.５.２ 陷阱動(dòng)力學(xué)１１２
６.６ 量子隧穿１１５
�。�.６.１ 功率器件中量子隧穿的重要性１１５
�。�.６.２�。裕茫粒姆抡娴幕舅泶├碚摚保保�
�。�.６.３ 隧穿的非平衡Ｇｒｅｅｎ函數(shù)的介紹１１８
�。�.７ 器件仿真器模型的校準(zhǔn)１１９
第７章 功率ＩＣ工藝流程的ＴＣＡＤ仿真１２０
�。�.１ 概述１２０
�。�.２ 一個(gè)模擬的功率ＩＣ工藝流程１２０
�。�.２.１ 工藝流程步驟１２０
�。�.２.２ 模擬的工藝流程的結(jié)構(gòu)視圖１２１
�。�.３ 智能功率ＩＣ工藝流程模擬１２２
�。�.３.１ Ｐ＋襯底１２２
�。�.３.２ Ｎ型掩埋層１２３
�。�.３.３ 外延層生長(zhǎng)和深Ｎ連接１２５
７.３.４ 高壓雙阱１２７
�。�.３.５�。危蹋模停希拥模行腕w注入１２８
７.３.６ 有源區(qū)面積／淺溝槽隔離（ＳＴＩ） １２９
�。�.３.７ Ｎ阱和Ｐ阱１３４
７.３.８ 低壓雙阱１３５
�。�.３.９ 厚柵氧層和薄柵氧層１３６
�。�.３.１０ 多晶柵１３９
�。�.３.１１ ＮＬＤＤ和ＰＬＤＤ １３９
�。�.３.１２ 側(cè)墻１４１
�。�.３.１３�。危樱暮停校樱� １４２
�。�.３.１４ 后端工序１４４
第８章 集成功率半導(dǎo)體器件的ＴＣＡＤ仿真１５０
�。�.１�。校谓Y(jié)二極管１５０
�。�.１.１ ＰＮ結(jié)基礎(chǔ)１５０
�。�.１.２ 在平衡時(shí)的橫向ＰＮ結(jié)二極管１５１
�。�.１.３ 正向?qū)ǎ▽?dǎo)通態(tài)） １５３
�。�.１.４ 一個(gè)ＰＮ結(jié)二極管的反向偏置１５６
�。�.１.５ 具有ＮＢＬ的橫向ＰＮ結(jié)二極管１５６
�。�.１.６�。校谓Y(jié)二極管的擊穿電壓增強(qiáng)１５８
�。�.１.７ 反向恢復(fù)１６６
８.１.８�。樱悖瑁铮簦簦耄䴓O管１６９
目 錄Ⅺ
�。�.１.９ Ｚｅｎｅｒ二極管１７０
８.１.１０�。校谓Y(jié)二極管的小信號(hào)模型１７３
８.２ 雙極結(jié)型晶體管１７４
�。�.２.１�。危校涡停拢剩缘幕竟ぷ髟恚保罚�
８.２.２�。危校涡停拢剩缘膿舸保罚�
�。�.２.３�。拢剩缘模桑智�族１８２
�。�.２.４�。耍椋颍胄�(yīng)１８２
�。�.２.５�。拢剩詿崾Э睾投螕舸┑姆抡妫保福�
�。�.２.６ ＢＪＴ的小信號(hào)模型和截止頻率的仿真１８８
�。�.３ ＬＤＭＯＳ １９１
�。�.３.１ 擊穿電壓的提高１９１
８.３.２�。蹋模停希又械募纳危校危拢剩� ２２０
�。�.３.３ ＬＤＭＯＳ的導(dǎo)通電阻２２２
�。�.３.４�。蹋模停希拥拈撝惦妷海玻玻�
�。�.３.５�。蹋模停希拥妮椪占庸淘O(shè)計(jì)２２７
�。�.３.６ ＬＤＭＯＳ的Ｉ－Ｖ曲線族２２８
�。�.３.７ ＬＤＭＯＳ的自加熱２３０
�。�.３.８ ＬＤＭＯＳ的寄生電容２３１
�。�.３.９ ＬＤＭＯＳ的柵電荷２３４
�。�.３.１０�。蹋模停希臃倾Q位感應(yīng)開(kāi)關(guān)（ＵＩＳ） ２３５
�。�.３.１１�。蹋模停希拥暮�(jiǎn)潔模型２３６
第９章 集成的功率半導(dǎo)體器件的３ＤＴＣＡＤ模擬２３８
�。�.１�。常钠骷牟季中�(yīng)２３８
�。�.２ ＬＩＧＢＴ的３Ｄ仿真２４１
�。�.２.１ 關(guān)于ＬＩＧＢＴ ２４１
�。�.２.２ 分段陽(yáng)極ＬＩＧＢＴ ２４１
９.２.３ 分段陽(yáng)極ＬＩＧＢＴ３Ｄ工藝仿真２４４
�。�.２.４ 分段陽(yáng)極ＬＩＧＢＴ的３Ｄ器件仿真２４６
�。�.３ 超結(jié)ＬＤＭＯＳ ２５４
９.３.１ 基本概念２５４
�。�.３.２ 超結(jié)ＬＤＭＯＳ的結(jié)構(gòu)２６１
９.３.３ 超結(jié)ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６１
�。�.３.４ 超結(jié)ＬＤＭＯＳ的３Ｄ器件仿真２６４
９.３.５ 一個(gè)具有相同的Ｎ漂移區(qū)摻雜的標(biāo)準(zhǔn)ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５
�。�.３.６ 一個(gè)Ｎ漂移區(qū)摻雜降低的標(biāo)準(zhǔn)ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５
�。�.３.７ 超結(jié)ＬＤＭＯＳ和標(biāo)準(zhǔn)ＬＤＭＯＳ的比較２６６
�。�.４ 超結(jié)功率ＦｉｎＦＥＴ ２６７
�。�.４.１ 超結(jié)功率ＦｉｎＦＥＴ的工藝流程２６９
�、� 集成功率器件設(shè)計(jì)及ＴＣＡＤ仿真
�。�.４.２ 超結(jié)功率ＦｉｎＦＥＴ的測(cè)量結(jié)果２７０
�。�.４.３ 超結(jié)功率ＦｉｎＦＥＴ的３Ｄ仿真２７１
�。�.５ 大的互連仿真２７３
９.５.１ 大的互連的３Ｄ工藝仿真２７５
�。�.５.２ 大的互連的３Ｄ器件仿真２７９
第１０章�。牵幔纹骷榻B２８１
１０.１ 化合物材料與硅２８１
�。保�.２�。牵幔纹骷囊r底材料２８２
�。保�.３ Ⅲ －氮族纖鋅礦結(jié)構(gòu)的極化特性２８３
�。保�.３.１ 微觀偶極子與極化矢量２８３
�。保�.３.２ 晶體結(jié)構(gòu)與極化２８４
�。保�.３.３ 零凈極化的理想ｃ０／ａ０比２８４
�。保�.４ ＡｌＧａＮ／ＧａＮ異質(zhì)結(jié)２８７
�。保�.４.１ 具有固定鋁摩爾分?jǐn)?shù)的能帶圖２８８
�。保�.４.２ 具有一個(gè)固定的ＡｌＧａＮ層厚度的能帶圖２８９
�。保�.４.３ 具有摻雜的ＡｌＧａＮ或ＧａＮ層的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結(jié)構(gòu)２９１
�。保�.４.４ 具有金屬接觸的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結(jié)構(gòu)２９２
１０.５ 在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ結(jié)構(gòu)中的陷阱２９３
�。保�.６ 一個(gè)簡(jiǎn)單的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ ２９４
�。保�.６.１ 器件結(jié)構(gòu)２９４
�。保�.６.２�。牵幔� ＨＥＭＴ的ＩＤ －ＶＧ曲線２９６
�。保�.６.３ 小結(jié)２９７
�。保�.７�。牵幔喂β剩龋牛停岳英� ２９８
�。保�.７.１ 器件結(jié)構(gòu)２９８
�。保�.７.２�。牵幔尾牧系呐鲎搽婋x系數(shù)３００
�。保�.７.３ ＧａＮＨＥＭＴ器件的擊穿仿真３００
�。保�.８ ＧａＮ功率ＨＥＭＴ范例Ⅱ ３０１
�。保�.９�。牵幔� ＨＥＭＴ器件的柵極漏電流的仿真３０２
�。保�.９.１ 器件結(jié)構(gòu)３０２
�。保�.９.２ 模型和仿真設(shè)置３０３
１０.９.３ 柵極泄漏電流仿真３０５
�。保�.１０ 化合物半導(dǎo)體電力應(yīng)用的市場(chǎng)前景３０６
附錄Ａ 載流子統(tǒng)計(jì)３０８
附錄Ｂ 載流子統(tǒng)計(jì)３０９
附錄Ｃ 陷阱動(dòng)力學(xué)和ＡＣ分析３２０
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