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新型高壓低功耗氧化鎵功率器件機理與實驗研究
氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強,可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求,在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊,但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系,且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此,本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件在高功率和低功耗系統(tǒng)中的應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。本書主要包括以下3個方面的內(nèi)容。1.具有復(fù)合終端的SBD新結(jié)構(gòu)與新機理。2.大功率整流管新結(jié)構(gòu)及其熱穩(wěn)定性。3.新型高壓低功耗鰭型器件及其應(yīng)用。
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