本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應用之后，本書重點介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器以及存儲級內(nèi)存(SCM)的各項必備條件和系統(tǒng)級需求。每一章都涵蓋了物理運行機制、制造技術(shù)和可微縮性的主要挑戰(zhàn)因素。最后，本書回顧了SCM的新興趨勢，主要關(guān)注基于相變的存儲技術(shù)的優(yōu)勢和機遇。