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鎵體系半導(dǎo)體與集成電路
本書為《新興半導(dǎo)體》分冊。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強(qiáng)、節(jié)能潛力大,被公認(rèn)為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在消費(fèi)類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域,從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料等重點(diǎn)應(yīng)用方向出發(fā),系統(tǒng)性論述和分析了新興半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、制備、性能特點(diǎn)、應(yīng)用,并對未來新興半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展方向進(jìn)行指南性解讀和趨勢預(yù)測。
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