本書為《新興半導(dǎo)體》分冊。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強(qiáng)、節(jié)能潛力大，被公認(rèn)為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料

本書以最新的科研成果為基礎(chǔ)，深入研究了新鐵電極化機(jī)制的滑移鐵電半導(dǎo)體。通過對大量實驗數(shù)據(jù)的分析和理論推導(dǎo)，揭示了滑移鐵電半導(dǎo)體的獨特性質(zhì)和應(yīng)用潛力。同時，結(jié)合國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的研究進(jìn)展，為讀者提供全面、系統(tǒng)的知識體系。本書通過對多層滑移鐵電半導(dǎo)體的深入研究，揭示了其獨特的鐵電極化翻轉(zhuǎn)模式，即鐵電極化在各層之間以逐層翻轉(zhuǎn)的

本書詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計、功率模塊壽命評估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S

"為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結(jié)合的方式對氮化物半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例。

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運、固體界面熱輸運基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮

《LED驅(qū)動與應(yīng)用電路設(shè)計及案例分析》針對電子電路應(yīng)用設(shè)計實務(wù)中的痛點和難點,通過案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問題的方法和思路。全書的編排設(shè)計始終遵循以讀者為中心、成果導(dǎo)向和持續(xù)改進(jìn)的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標(biāo),貫穿于整個電子產(chǎn)品設(shè)計的全過程。全書采用案例式教學(xué),通過問題引導(dǎo)的方式幫助讀者積累知

本書是國外學(xué)者們對寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢的及時總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學(xué)屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高