本書是作者從事電子制造40年來有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場(chǎng)景以及如何設(shè)計(jì)與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛?jiǎn)栴}，并通過大量篇幅重點(diǎn)討論了焊點(diǎn)的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個(gè)部分，第一部分為焊點(diǎn)失效機(jī)理與裂紋特征，詳細(xì)介紹焊點(diǎn)的失效模式、失效機(jī)理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進(jìn)的集成電路工藝節(jié)點(diǎn)不斷向納米級(jí)推進(jìn)，對(duì)半導(dǎo)體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體納米器件的物理學(xué)原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應(yīng)用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領(lǐng)域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點(diǎn)介紹電子納米器件，包括準(zhǔn)一維電子氣、強(qiáng)電子相關(guān)的測(cè)量、量子點(diǎn)的熱電特性、單電子源、量子電流標(biāo)準(zhǔn)、電子量子光學(xué)、噪聲

本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動(dòng)光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識(shí)、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學(xué)以及世界級(jí)大批量制造方面的獨(dú)特經(jīng)驗(yàn)，增加了關(guān)于接

本書對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計(jì)，且重點(diǎn)介紹了近些年的工藝節(jié)點(diǎn)縮小趨勢(shì)和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲(chǔ)器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲(chǔ)層級(jí)，同時(shí)也介紹了存儲(chǔ)器技術(shù)在機(jī)器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對(duì)基本原理的討論，借助圖表對(duì)各種效應(yīng)進(jìn)行圖形化直觀展示，并詳細(xì)推導(dǎo)了各種公式。此外，還對(duì)小尺寸場(chǎng)效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實(shí)際業(yè)界對(duì)策進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書對(duì)半導(dǎo)體金屬氧化物基本性質(zhì)及傳感作用機(jī)制進(jìn)行了系統(tǒng)性介紹，并對(duì)氣體傳感器在不同領(lǐng)域的應(yīng)用與性能優(yōu)化策略進(jìn)行詳細(xì)闡述。全書共分為十章，總結(jié)了SMO氣體傳感器的特點(diǎn)（主要是基本特性）、氣體傳感器的原理、氣固界面氣敏催化機(jī)制以及各種類型的SMO氣體傳感器。本書圍繞半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感材料展開，尤其關(guān)注了SMO納米尺度

本書首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對(duì)超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設(shè)計(jì)、混沌信號(hào)分析、隨機(jī)數(shù)提取等問題進(jìn)行研究，從理論上對(duì)超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究，從實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評(píng)估。

本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測(cè)試分為特性測(cè)試、極限能力測(cè)試、高溫可靠性測(cè)試、電應(yīng)力可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試等，并詳細(xì)介紹了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測(cè)試設(shè)備和數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科，是信息、新能源（半導(dǎo)體照明、太陽(yáng)能光伏）等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書共15章，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù)，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體硅材料（包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料）的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，闡述了化合物半導(dǎo)體（包括Ⅲ-Ⅴ族