本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運、固體界面熱輸運基本理論、氮化鎵界面熱導上限的預測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮化鎵器件中熱特性建模、AlGaN/GaNHEMT器件級建模仿真、基于電學法的熱表征技術(shù)——柵電阻測溫法、超晶格城堡形場效應晶體管的熱特性、用于氮化鎵器件高分辨率熱成像的瞬態(tài)熱反射率法、熱匹配QST襯底技術(shù)、用于電子器件散熱的低應力納米金剛石薄膜、金剛石基氮化鎵材料及器件技術(shù)綜述、金剛石與氮化鎵的三維集成、基于室溫鍵合形成的高導熱半導體界面、AlGaN/GaN器件在金剛石襯底上直接低溫鍵合技術(shù)、氮化鎵電子器件的微流體冷卻技術(shù)、氮化鎵熱管理技術(shù)在Ga2O3整流器和MOSFET中的應用。