本書是圍繞電子裝聯(lián)企業(yè)的崗位需求，以電子裝聯(lián)生產(chǎn)工藝順序?yàn)橹骶�設(shè)計(jì)典型工作任務(wù)，并結(jié)合電子信息制造業(yè)最新發(fā)展成果而編寫的理實(shí)一體化新形態(tài)教材。全書共包含裝聯(lián)準(zhǔn)備、手工焊接與返修、表面貼裝元器件自動(dòng)裝聯(lián)、通孔元器件自動(dòng)裝聯(lián)、基板裝聯(lián)、先進(jìn)裝聯(lián)技術(shù)六個(gè)模塊。 本書配套提供豐富的數(shù)字化教學(xué)資源，包括教學(xué)課件、微課、操作視頻、

本書內(nèi)容從半導(dǎo)體相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)入手，首先介紹半導(dǎo)體的物理特性，以及與其相關(guān)的晶體、原子、能帶理論、空穴、摻雜等基本概念；再從晶體管入手，講述晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、制備工藝，以及集成電路的相關(guān)知識(shí)；最后，落地到應(yīng)用，介紹了半導(dǎo)體器件的使用和具體的應(yīng)用電路，以及半導(dǎo)體器件參數(shù)和等效電路。由于半導(dǎo)體技術(shù)涉及材料、微電子、電子

本書內(nèi)容以實(shí)用性為出發(fā)點(diǎn)，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計(jì)方法。針對(duì)GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書針對(duì)后摩爾時(shí)代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴(yán)重的功耗問題，介紹芯片功耗、工作電壓和場效應(yīng)晶體管亞閾值特性的關(guān)系，并通過解析鐵電負(fù)電容場效應(yīng)晶體管陡峭亞閾值特性工作機(jī)理，闡明鐵電負(fù)電容場效應(yīng)晶體管技術(shù)對(duì)于突破后摩爾時(shí)代功耗瓶頸的關(guān)鍵作用。

本書從光刻機(jī)到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向納米級(jí)精細(xì)加工的新高度。本書共6篇19章，內(nèi)容包括光刻機(jī)、激光光源、掩膜技術(shù)、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢、EUV光刻技術(shù)、納米壓印光刻技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢、化學(xué)增

本書首先簡要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件內(nèi)涵、特點(diǎn)、研究意義與國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對(duì)新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件有一個(gè)宏觀把握和大致了解:接著對(duì)影響新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體設(shè)計(jì)方案的多種外界約束條件和性能指標(biāo)進(jìn)行分析;然后重點(diǎn)論述新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢，并分別詳細(xì)論述

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進(jìn)功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識(shí)，包括材料物理與化學(xué)、器件物理、工藝原理以及實(shí)際應(yīng)用設(shè)計(jì)原理，進(jìn)一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強(qiáng)，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對(duì)大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

IGCT具有通態(tài)壓降低、容量大、可靠性高、魯棒性好等有點(diǎn)，目前已應(yīng)用在直流斷路器、模塊化多電平變換器、牽引系統(tǒng)變換器等應(yīng)用場景。本書圍繞IGCT器件，分別展開介紹半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)及工作原理、阻斷特性、開通與導(dǎo)通特性、關(guān)斷特性、封裝、驅(qū)動(dòng)、可靠性及應(yīng)用。同時(shí)，在各章中穿插IGCT的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如深結(jié)推進(jìn)、邊緣終端、質(zhì)子輻